755彩票

您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:755彩票 > 元器件(最新) > 半导体存储器 >

DRAM(MOS型动态存储器)

(共找到“60”条查询结果)
广告
广告
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
1/3 跳至 下一页
  • 产品:

    MMSC350

  • 品牌:

    华存

  • 容量:

    128GB-1TB

  • 快闪记忆体:

    新一代3DTLC

  • 品牌:

    755彩票SK HYNIX/海力士

  • 型号:

    H5PS5162GFRS6C

  • VDD,VDDQ:

    1.8±0.1V

  • 刷新周期:

    8K/64ms

  • Jetec标准84球FBGA(x16):

    7.5mm x 12.5mm

  • 型号:

    FDD4685

  • 品牌:

    FAIRCHILD

  • 封装:

    TO-252-2

  • 数量:

    25000

  • 型号:

    IS42S16100H-7TLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    12000

  • 备注:

    原装正品现货

  • 型号:

    NT6CL128T64BR-H2

  • 品牌:

    NANYA

  • 封装:

    POP

  • 类型:

    LPDDR3

  • 包装:

    托盘

  • 安装类型:

    表面贴装

  • MINRI TECHNOLOGY CO.,LIMITED
  • 供应商等级:
  • 企业类型:贸易/代理/分销
  • 地区:香港香港
  • 电话:0755-83240004

    手机:13316406520

  • 型号:

    K4B8G1646D-MYK0

  • 品牌:

    SAMSUNG

  • 包装:

    1120PCS

  • 批号:

    17+

  • 数据总线宽度:

    32 bit

  • 组织::

    2 M x 32

  • 封装 / 箱体::

    TSOP-86

  • 存储容量::

    64 Mbit

  • 最大时钟频率:

    167 MHz

  • 访问时间::

    17 ns

  • 电源电压-最大::

    3。6 V

  • 电源电压-最小::

    3 V

  • 型号:

    NT6CL128T64BR-H2

  • 品牌:

    NANYA

  • 封装:

    POP

  • 类型:

    LPDDR3

  • 包装:

    托盘

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 型号/规格:

    IS43R86400D-6TLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 封装:

    TSOP-66

  • 容量:

    512Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SDRAM-DDR

  • 型号:

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP-16

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    10000

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

  • 品牌:

    镁光

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    10000

  • 单价:

    28

  • 01:

    01

  • 02:

    02

  • 03:

    03

  • 04:

    04

  • 型号:

    AT24C02C-SSHM-T

  • 批号:

    18+

  • 品牌:

    ATMEL

  • 封装:

    sop8

  • 数量:

    256000

  • 类别:

    存储器

  • 型号:

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    20000

  • 型号:

    MT53B512M64D4NJ-062

  • 品牌:

    Micron

  • 封装:

    SMD/SMT

  • 批次:

    18+

  • 数量:

    9000

  • 特色服务:

    可提供一站式配单

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    755彩票1。7 V ~ 1。9 V

  • 型号:

    H5TQ2G63FFR-PBC

  • 品牌:

    海力士SK Hynix

  • 封装:

    BGA96

  • 类别:

    128M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA96

  • 组织:

    256M*8

  • 存储容量:

    2GBIT

  • 封装:

    FBGA-60

  • 温度:

    0=40

  • 类型:

    SDRAM - DDR2

  • 型号:

    MT41K256M16HA-125

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    FBGA-96

  • 年份:

    17+

  • DRAM:

    存储器

  • 型号:

    M25P32-VMW6G

  • 封装:

    SOP-8

  • 品牌:

    ST

  • 格式 - 存储器:

    闪存

  • 接口:

    SPI 串行

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购DRAM(MOS型动态存储器)进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈755彩票

免责声明:以上所展示的DRAM(MOS型动态存储器)信息由会员自行提供,DRAM(MOS型动态存储器)内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买DRAM(MOS型动态存储器)产品风险,建议您在购买DRAM(MOS型动态存储器)相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。

新华彩票 567彩票 234彩票 上海11选5开奖 80彩票 国丰彩票 北京两步彩 567彩票 彩尊彩票 湖南快乐十分走势